BSC265N10LSF G دیتاشیت

BSC265N10LSF G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC265N10LSF G
حجم فایل 58.263 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت BSC265N10LSF G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC265N10LSF G
  • Power Dissipation (Pd): 78W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Continuous Drain Current (Id): 6.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.4V@43uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 26.5mΩ@10V,20A
  • Package: TDSON-8(6x5)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه